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您正在寻找一颗能轻松驾驭30V、55A高功率场景，同时保持极低损耗的“能量开关”吗？STL55NH3LL正是为此而来。这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，以其仅8.8毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源模块或电机驱动方案效率飙升，运行温度大幅降低。

它集高性能与紧凑体型于一身，采用先进的PowerFlat（5x6）封装，为您节省宝贵的PCB空间。高达4.5V/10V的驱动电压兼容性以及低栅极电荷，让驱动电路设计更简单高效。选择它，就是为您的产品注入强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STL55NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL55NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。