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STF11N60M2-EP 零件图片(仅供参考)

STF11N60M2-EP
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STF11N60M2-EP 规格参数

您正在设计一款需要处理600V高压、承载数安培电流的电源或电机驱动方案吗?STF11N60M2-EP正是为您而来的高效开关核心。这颗N沟道功率MOSFET基于先进的MDmesh M2-EP技术,拥有7.5A的连续漏极电流能力,其关键优势在于极低的导通电阻与栅极电荷,能显著降低开关损耗和驱动需求,让您的系统运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对工业电源、PC电源、照明镇流器等应用中的高频开关挑战。优异的动态性能和高达25W的功率耗散能力,确保了在苛刻环境下的长期稳定工作。选择它,就是为您的产品注入了意法半导体的高可靠性基因,让设计更省心,性能更出众。

  • 型号:STF11N60M2-EP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • STF11N60M2-EP,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STF11N60M2-EP 基本参数:

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