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还在为高压大功率应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？SCTW70N120G2V正是为您破局而生的利器。这颗基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率晶体管，拥有1200V的惊人耐压和高达91A的连续电流能力，让您轻松驾驭从工业驱动到新能源逆变的各种严苛应用。

它的核心价值在于极致的效率提升。仅30毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接为您节省能源成本并简化散热设计。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让系统运行更快速、更安静。选择SCTW70N120G2V，就是选择用一颗高集成度、高可靠性的“芯”，为您的产品注入高效、紧凑与持久的竞争力。

• 型号:SCTW70N120G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):91A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3540 pF @ 800 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:547W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTW70N120G2V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。