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还在为功率器件的效率与散热头疼吗？让STL33N60DM6为您开启高效、紧凑的电源设计新篇章！这颗基于意法半导体先进MDmesh M6技术的MOSFET，集600V耐压、21A连续电流能力于一身，其核心使命就是让您的电源转换系统运行得更“冷静”、更高效。

它凭借低至140毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，让您轻松应对能效法规的挑战。同时，其创新的PowerFlat HV封装提供了卓越的热性能，帮助您有效管理散热，简化设计。无论是用于服务器电源、工业驱动还是新能源领域，它都能让您的产品在可靠性和功率密度上占据领先优势。

• 型号:STL33N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL33N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。