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还在为系统的高速数据缓存寻找一颗反应敏捷、运行稳定的“记忆核心”吗？M68AW256ML70ND6T正是您期待的答案。这颗4Mb（256K x 16）容量的异步并行SRAM，拥有高达70ns的快速访问时间，能让您的处理器无需等待，高效吞吐海量临时数据，极大提升整体系统响应速度。

它工作在2.7V至3.6V的宽电压范围内，并具备-40°C至85°C的工业级宽温工作能力，让您的设备无论是面对严苛的户外环境还是复杂的工业现场，都能保持数据存取的绝对可靠与稳定。采用成熟的44-TSOP表面贴装封装，便于您集成到各类紧凑型设计中，轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:M68AW256ML70ND6T
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:44-TSOP II
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:SRAM
• 技术:SRAM - 异步
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
• 供应商器件封装:44-TSOP II
• M68AW256ML70ND6T，ST（意法半导体）产品一站式供应商。