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您正在寻找一颗能扛起大功率开关重任的“核心引擎”吗？STP50NE10正是为此而生！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达50A的连续电流处理能力，让您在设计电机驱动、电源转换或功率调节系统时信心倍增。

它的秘诀在于极低的导通电阻（仅27毫欧@10V），这意味着在开关过程中能量损耗更小，发热量更低，从而让您的系统运行更加高效、凉爽。搭配TO-220AB封装带来的优秀散热特性，它能轻松应对高负荷工作，将稳定可靠的功率控制体验带给您的每一个产品。

• 型号:STP50NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:166 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP50NE10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。