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还在为功率转换系统的效率、尺寸和散热问题而烦恼吗？让STL26N65DM2为您提供一站式的解决方案！这颗来自意法半导体MDmesh DM2家族的N沟道MOSFET，集650V高压耐受与20A大电流承载能力于一身，其革命性的超结结构将导通电阻降至极低水平，能显著减少开关和导通损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它采用创新的PowerFlat HV封装，在确保卓越散热性能的同时，实现了极小的占板面积，完美适配您对高功率密度设计的追求。更低的栅极电荷让开关速度更快、驱动更简单，助您构建响应迅捷、运行安静的电源拓扑。无论是面对工业驱动、可再生能源转换还是高端电源的挑战，STL26N65DM2都能让您高效应对，从容打造更可靠、更紧凑的下一代产品。

• 型号:STL26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:206mOhm @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL26N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。