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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时保持极高效率和可靠性的“核心开关”吗？STF16NF25正是为此而生。这颗来自意法半导体STripFET II系列的N沟道MOSFET，拥有250V的漏源电压和14A的连续漏极电流能力，其关键优势在于极低的235毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

它凭借仅18nC的低栅极电荷，实现了快速、干净的开关动作，轻松应对高频开关需求，无论是电机驱动、电源转换还是照明控制，都能让您的设计性能脱颖而出。TO-220FP封装确保了出色的散热和便捷的安装，配合-55°C至150°C的宽广工作结温，保障了它在各种苛刻环境下的稳定运行。

选择STF16NF25，就是为您的产品选择了一个高效、可靠的能量管理核心，让您轻松构建更具市场竞争力的高性能解决方案。

• 型号:STF16NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:235 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF16NF25，ST（意法半导体）产品一站式供应商。