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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STL24N60M2正是为您破解这一难题的利器。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V/18A的强劲规格，其核心价值在于极低的210毫欧导通电阻，能显著减少能量在传导过程中的损耗，直接帮助您提升系统整体效率，降低温升。

它能让您的设计事半功倍。优化的开关特性（低栅极电荷Qg）意味着您可以实现更高频率的开关操作，从而让磁性元件和滤波电容体积更小，助力打造更紧凑、轻薄的终端产品。无论是开发新一代服务器电源、工业变频器，还是高可靠性UPS，STL24N60M2都能提供稳定、高效的能量开关控制，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STL24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。