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还在为高压电源设计中开关器件的损耗和可靠性头疼吗？让STD3N95K5AG为您带来焕然一新的体验。这颗来自意法半导体MDmesh K5家族的汽车级MOSFET，拥有950V的超高耐压和仅5欧姆的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源系统效率轻松跃升。

它专为应对严苛环境而生，通过AEC-Q101认证，可在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。极低的栅极电荷和输入电容，让您能够实现更高频率的开关操作，从而使用更小的磁性元件，有效优化系统体积与成本。无论是用于车载充电、DC-DC转换还是工业电源，它都能提供坚实可靠的性能基石。

选择STD3N95K5AG，就是选择了一份高效与安心的保障。它让您能够更从容地设计高性能电源方案，将复杂的高压挑战转化为产品的核心优势。

• 型号:STD3N95K5AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3N95K5AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。