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您正在寻找一颗能轻松驾驭400V高压、高效处理3A电流的功率开关吗？STP5NK40Z正是为此而来。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，以其低至1.8欧姆的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它具备快速的开关响应（栅极电荷仅17nC），让您能实现更高频率的开关操作，从而优化磁性元件尺寸，助力设计小型化。其坚固的TO-220AB封装和45W的功率耗散能力，确保了在宽温范围（-55°C至150°C）内的稳定性和长寿命，是构建可靠电力系统的坚实基石。

• 型号:STP5NK40Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK40Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。