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还在为电源转换效率瓶颈或电机驱动发热问题而烦恼吗？让STL220N6F7为您带来颠覆性的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的1.4毫欧超低导通电阻和120A大电流承载能力，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它采用紧凑的PowerFlat封装，帮助您轻松实现高功率密度设计。优异的开关特性与宽广的工作温度范围，确保其在服务器电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中表现稳定可靠。选择STL220N6F7，就是选择让您的产品在性能与能效上脱颖而出。

• 型号:STL220N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL220N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。