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您正在寻找一颗能扛起大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STP110N55F6正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有110A的强大电流承载能力和仅5.2毫欧的超低导通电阻，能显著减少您在开关电源、电机驱动等应用中的导通损耗，让电能转换更高效，系统发热更少。

它采用先进的DeepGATE技术，开关性能优异，栅极电荷管理出色，帮助您轻松实现快速、干净的开关切换，进一步提升整体能效。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在恶劣环境下的长期稳定运行，让您的设计无后顾之忧。

简而言之，STP110N55F6的核心价值就是：用更低的损耗处理更大的功率，让您的产品在性能和可靠性上都更具优势。

• 型号:STP110N55F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP110N55F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。