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还在为高压半桥驱动的复杂设计和可靠性担忧吗？让L6393DTR来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的高性能栅极驱动器，核心使命就是让您轻松、高效且安全地驾驭IGBT和MOSFET功率开关。

它集成了双通道同步驱动能力，提供高达430mA/290mA的强劲峰值输出电流，并具备极快的开关速度（典型上升/下降时间75ns/35ns），能显著提升您的电机控制、电源转换等应用的效率和响应性能。其宽电压供电范围（10V-20V）和高达600V的自举电压，为您提供了充足的设计余量和系统可靠性保障。

更重要的是，L6393DTR采用非反相输入和兼容性广泛的逻辑电平，让接口设计变得异常简单。无论是面对-40°C到125°C的极端温度，还是紧凑的PCB空间需求，它都能稳定胜任，助您大幅简化外围电路，加速产品开发周期，是您打造高性能、高可靠性功率系统的理想选择。

• 型号:L6393DTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6393DTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。