我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF23N80K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时兼顾高压耐受与高效开关的“心脏”吗？STF23N80K5正是您期待的答案。这颗基于先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固防线和16A的强大电流吞吐能力，让您轻松驾驭服务器电源、工业驱动及新能源转换等高压应用场景。

它的核心价值在于卓越的能效表现。通过优化导通电阻与栅极电荷，它能显著降低开关过程中的能量损耗，直接为您带来更低的系统发热和更高的整体效率。同时，其坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热和机械可靠性。选择它，就是为您的设计注入高效、稳定与持久的动力源泉。

• 型号:STF23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF23N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。