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您是否正在为高电流、高频率的开关应用寻找一颗既能“扛得住”又能“省得了”的功率开关？STL115N10F7AG正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达107A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的6毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作变得轻松高效。优化的栅极特性让驱动设计更为简单，而紧凑的PowerFlat封装则帮助您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高功率密度布局。无论是提升电动汽车的驱动效率，还是强化工业电源的可靠性，它都能出色胜任，助您打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STL115N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 53A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL115N10F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。