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您正在设计需要强劲、可靠动力转换的工业电机驱动或新能源发电系统吗？A2P75S12M3-F正是您理想的解决方案。这颗由ST意法半导体打造的1200V/75A IGBT模块，采用先进的沟槽型场截止技术，能为您实现极低的导通损耗（Vce(on)仅2.3V）和高达454.5W的功率处理能力，让您的设备运行更高效、更节能。

它集成了完整的三相反相器桥臂，并贴心内置NTC热敏电阻，让您轻松实现精准的温度监控与保护。其坚固的模块化封装和宽广的-40°C至150°C工作结温范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定输出，大幅提升您最终产品的可靠性与使用寿命。选择它，就是为您的核心系统注入一颗持久、高效的“动力之心”。

• 型号:A2P75S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 75A ACEPACK 2
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:75 A
• 功率 - 最大值:454.5 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，75A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.7 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 2
• A2P75S12M3-F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。