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还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？让STL110NS3LLH7来为您破局！这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，是专为 demanding 应用打造的高效开关核心。它拥有120A的大电流承载能力和低至3.4毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，直接提升整体能效，让热量更少，输出更强劲。

得益于先进的STripFET H7技术和紧凑的PowerFlat封装，它让您在有限的空间内也能实现高功率密度设计。无论是进行高频开关，还是需要应对严苛的温度环境（-55°C至150°C），它都能稳定可靠地工作，确保您的电源管理、电机驱动或负载开关应用高效、流畅地运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与安心。

• 型号:STL110NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4W（Ta），75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL110NS3LLH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。