我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF25N80K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时兼顾高电压、大电流和出色效率的功率开关吗？STF25N80K5正是为您而生的解决方案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的漏源击穿电压和19.5A的连续漏极电流，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源设备时，拥有充足的电压余量和强大的功率处理能力。

它的核心价值在于卓越的效率。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗。这直接转化为更低的系统发热和更高的能源转换效率，帮助您的终端产品轻松满足日益严格的能效标准。其坚固的TO-220FP封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在各种应用环境下的长期可靠运行。

• 型号:STF25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF25N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。