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您正在寻找一颗能同时满足高电流承载与超低导通电阻需求的功率MOSFET吗？STI55NF03L正是为您而来。这颗基于先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有30V的漏源电压和高达55A的连续电流能力，而其导通电阻在10V驱动下可低至13毫欧。这意味着它能让您的电源转换或电机驱动电路损耗大幅降低，效率显著提升，同时有效控制发热，让系统运行更凉爽、更稳定。

得益于其优异的栅极特性（低至27nC的Qg）和宽泛的工作温度范围（-60°C ~ 175°C），STI55NF03L能帮助您轻松实现高速、高效的开关控制，并从容应对各种苛刻的环境挑战。无论是用于提升能效，还是简化散热设计，它都是您打造高性能、高可靠性功率应用的得力助手。

• 型号:STI55NF03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1265 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-60°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI55NF03L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。