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还在为高压大电流应用的效率瓶颈而烦恼吗？STB26NM60N N沟道功率MOSFET专为解决此类挑战而生。它集成了意法半导体先进的MDmesh II技术，为您带来低至165毫欧的导通电阻和仅60nC的栅极电荷，这意味着它能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能轻松处理高达600V的电压和20A的连续电流，其坚固的D2PAK封装确保了出色的功率耗散能力。无论是提升现有设计的能效，还是开发面向工业自动化、新能源领域的新产品，STB26NM60N都能让您以更低的系统复杂度和更高的可靠性，实现性能的飞跃。

• 型号:STB26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB26NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。