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您是否渴望一款能大幅提升电源效率、让系统运行更凉爽的功率开关？STI33N60M6正是您的理想答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，凭借600V耐压和25A电流能力，让您能轻松驾驭工业驱动、UPS和光伏逆变器等高压应用。

它的核心魅力在于极致的性能优化：仅125毫欧的超低导通电阻显著减少了导通损耗，而33.4nC的低栅极电荷则确保了迅猛的开关速度，有效降低开关损耗。这意味着您的设备不仅能更高效地转换电能，还能减少发热，提升整体可靠性和功率密度。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的强大基因。

• 型号:STI33N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1515 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI33N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。