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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？让STW20NM60FD来为您提供强大助力！这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和20A的连续电流能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅290毫欧@10A）。这意味着它能大幅降低导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器运行得更高效、更凉爽，直接帮您节省能源并简化散热设计。

同时，其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关特性，不仅能进一步提升效率，还能有效降低电磁干扰，让您的产品设计更容易满足严苛的合规性要求。无论是提升现有产品性能，还是开发新一代高效能设备，STW20NM60FD都能让您轻松应对高电压、大电流的挑战，是实现高性能与高可靠性的理想选择。

• 型号:STW20NM60FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NM60FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。