我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB57N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？STB57N65M5 N沟道MOSFET专为攻克此类难题而生。它基于先进的MDmesh V技术，为您提供650V的高压阻断能力和42A的大电流承载能力，同时将导通电阻降至惊人的63毫欧，这意味着更低的传导损耗和更高的整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源、电机驱动或逆变器设计运行得更高效、更凉爽。其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了更快的开关速度和更低的开关损耗，从而显著提升系统频率和功率密度。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求消费电子产品的轻薄高效，STB57N65M5都能让您轻松构建更可靠、更具竞争力的高性能解决方案。

• 型号:STB57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB57N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。