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您正在寻找一颗能扛起大电流、应对中压环境的“能量开关”吗？STB45NF06正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和高达38A的连续电流处理能力，让您在设计电机驱动、电源转换或负载开关时底气十足，轻松应对高功率挑战。

它采用ST引以为傲的STripFET II技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅28毫欧@10V），这意味着更少的能量以热量形式耗散，显著提升系统整体效率。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，让您的电路响应更迅捷，运行更稳定。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），更是为产品的长期可靠运行提供了坚实保障。

• 型号:STB45NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB45NF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。