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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的核心器件吗？STI22NM60N正是为此而生。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源击穿电压和高达16A的连续电流能力，让您能轻松驾驭工业电源、电机驱动等高压应用场景，为系统注入强劲而稳定的动力。

它的卓越之处在于细节：仅220毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，提升整体能效；优化的栅极电荷特性，让开关过程更加迅速高效，进一步降低开关损耗。无论是应对频繁的开关动作，还是需要持续通过大电流，STI22NM60N都能保持低温、稳定运行，有效延长设备寿命并简化您的散热设计。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与可靠并重的保障。

• 型号:STI22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI22NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。