我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL70N10F3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理大功率的紧凑型设备吗？STL70N10F3正是为您而来的高效功率开关。它能轻松驾驭高达100V的电压和82A的连续电流，而其核心价值在于极低的导通电阻（仅8.4毫欧），这意味着在开关过程中电能损耗更少，发热量更低，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片采用先进的STripFET III技术和独特的PowerFlat 5x6超薄封装，在提供强大功率处理能力的同时，极大节省了宝贵的电路板空间。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能让您以更小的体积实现更强的性能。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的设计，确保了在各种严苛环境下的稳定性和可靠性，助您轻松构建出更具竞争力的终端产品。

• 型号:STL70N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):82A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3210 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL70N10F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。