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还在为功率开关的损耗和温升问题头疼吗？让STI200N6F3为您带来颠覆性的改变。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其低至3.8毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损失，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能够轻松驾驭高达120A的连续电流和60V的电压，是您构建大功率、高可靠性应用的理想选择。无论是应对工业环境的严酷考验，还是追求极致的能源效率，STI200N6F3强大的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），都能让您的设计稳如磐石，性能表现始终出色。

• 型号:STI200N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:101 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6265 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI200N6F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。