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还在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STU90N4F3正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅6.5毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，具备极低的栅极电荷和输入电容，这意味着您可以实现更快的开关速度，从而提升系统工作频率，并降低驱动电路的功耗。无论是用于提升电动工具的动力响应，还是优化服务器电源的能效，STU90N4F3都能让您的设计轻松应对高功率密度挑战。其坚固的IPAK通孔封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的长期稳定与可靠，是您构建强劲动力核心的理想选择。

• 型号:STU90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU90N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。