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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低且散热出色的功率开关吗？STI175N4F6AG正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和惊人的120A连续电流处理能力，其核心魅力在于仅2.7毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动方案效率飙升，运行起来更“冷静”。

它采用坚固的I2PAK（TO-262）封装，通孔安装方便可靠，并能适应-55°C至175°C的宽广结温范围。无论是应对瞬间大电流冲击，还是在高温环境下持续工作，它都能提供稳定的性能。选择STI175N4F6AG，就是选择了一份让设计更高效、让产品更可靠的强大保障。

• 制造商产品型号：STI175N4F6AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：130nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7735pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK（TO-262）
• STI175N4F6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。