我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STDLED625H现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能兼顾高耐压与高效能的功率开关而烦恼吗？STDLED625H正是为您破解这一难题的利器。这颗N沟道MOSFET拥有620V的漏源电压和4.5A的连续电流能力，让您能轻松应对LED驱动、电源转换等应用中的高压挑战。

它的魅力在于细节：10V驱动下仅2欧姆的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效；优化的栅极电荷与电容特性，让开关动作更快更干净，进一步减少能量浪费。采用坚固的DPAK表面贴装封装，它能在高达150°C的结温下稳定工作，是您构建紧凑、可靠且高效的功率电路的理想核心。

• 型号:STDLED625H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STDLED625H，ST（意法半导体）产品一站式供应商。