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还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又高效的“核心开关”吗？STI10NM60N正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和10A的连续电流处理能力，凭借其MDmesh II技术，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源模块、电机驱动或UPS系统运行效率大幅提升，发热更少，寿命更长。

它具备低至550毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，让您能够轻松实现更高频率的开关操作，从而可以使用更小的磁性元件，助力打造更紧凑、更具成本效益的最终产品。其坚固的I2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境中都能提供稳定可靠的性能，是您提升产品市场竞争力的得力助手。

• 型号:STI10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI10NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。