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还在为高功率应用的效率瓶颈和散热难题困扰吗？STI270N4F3正是为您破局而生的利器。这颗来自意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，拥有惊人的160A电流承载能力和低至2.6毫欧的导通电阻，能让您轻松驾驭大电流开关，将功率损耗降至最低，从而显著提升整个系统的能源利用效率。

它采用先进的STripFET III技术，不仅开关速度快，栅极驱动简洁高效，更能承受高达330W的功率耗散。宽达-55°C至175°C的工作温度范围，确保它在最严苛的汽车引擎舱或工业环境中也能稳定可靠地运行。选择STI270N4F3，就是为您的电机驱动、电源转换或电池保护电路，注入一颗强劲、高效且值得信赖的“核心动力”。

• 型号:STI270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI270N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。