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STGWA40IH65DF 零件图片(仅供参考)

STGWA40IH65DF
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STGWA40IH65DF 规格参数

还在为高压大电流应用的效率与散热问题头疼吗?让STGWA40IH65DF来为您解决!这颗来自意法半导体的650V/80A沟槽型场截止IGBT,是专为 demanding 应用而生的高效能核心。它凭借出色的电气参数,让您的设计事半功倍。

它能在高达175°C的结温下稳定工作,提供强大的238W功率处理能力,让您的系统散热设计更轻松。其低至2V的饱和压降和优化的开关能量(190J关断),意味着更低的导通与开关损耗,直接为您带来更高的系统效率和更低的运营成本。无论是驱动电机、构建逆变器还是打造高可靠电源,它都能让您的产品性能更强劲、运行更可靠。

  • 型号:STGWA40IH65DF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247 长引线
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值:238 W
  • 开关能量:190J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:114 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:-/210ns
  • 测试条件:400V,40A,22 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247 长引线
  • STGWA40IH65DF,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

STGWA40IH65DF 基本参数:

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