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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“心脏”吗？STH410N4F7-6AG正是您的理想之选。这颗车规级N沟道MOSFET，凭借其惊人的200A电流能力和低至1.1毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的导通损耗，让电能转换更加高效，直接帮助您提升产品性能并优化热管理设计。

它采用H2PAK-6封装和先进的STripFET F7技术，不仅功率密度高，更能实现优异的开关特性。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和AEC-Q101认证，让它能从容应对汽车、工业等严苛环境。选择它，就是为您的电机驱动、电源转换或电池保护电路，注入了一颗强劲而可靠的动力核心。

• 型号:STH410N4F7-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH410N4F7-6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。