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您正在寻找一颗能同时征服高压与高效挑战的功率开关吗？STF12N120K5正是您的理想之选。这颗来自意法半导体MDmesh K5系列的N沟道MOSFET，拥有1200V的惊人耐压和12A的连续电流能力，专为要求严苛的功率转换场景而生。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。极低的690毫欧导通电阻大幅减少了导通损耗，而仅44.2nC的栅极电荷则确保了超快的开关速度，显著降低开关损耗。这意味着您能轻松构建出效率更高、发热更少、体积更紧凑的电源系统。无论是工业驱动、太阳能逆变器还是高端电源，它都能提供稳定可靠的性能，助您高效实现设计目标。

• 型号:STF12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12N120K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。