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还在为高压应用中的开关损耗和可靠性头疼吗？让STF3NK100Z来为您解决！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，是ST意法半导体为您精心打造的高压开关利器。它能轻松阻断高达1000V的电压，并以极低的导通电阻（6Ω）和栅极电荷（18nC）工作，显著降低您的系统传导损耗和开关损耗，直接提升电源效率。

这意味着，无论是设计紧凑的开关电源，还是需要快速响应的电机驱动电路，STF3NK100Z都能让您以更小的散热负担实现更高的功率密度。其坚固的TO-220FP封装和宽广的结温范围，确保了在-55°C到150°C的严苛环境下依然稳定可靠，大大延长了产品的使用寿命。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的基因。

• 型号:STF3NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。