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您是否正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关？STH400N4F6-6正是为您的高效能源转换系统量身打造。它拥有高达180A的连续电流处理能力和低至1.15毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电机驱动、电源转换或电池管理系统运行得更凉爽、更高效。

这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，具备40V的耐压和优异的开关特性。其H2PAK-6封装确保了出色的散热性能，轻松应对高达300W的功率耗散。无论是面对汽车环境的温度挑战，还是追求极致的功率密度，它都能让您的设计更加稳健可靠，助您轻松攻克能效瓶颈。

• 型号:STH400N4F6-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:404 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH400N4F6-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。