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还在为功率转换系统的驱动效率和安全担忧吗？L6494LD正是您期待的答案！这颗来自ST意法半导体的高性能半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，能轻松驾驭高达500V的高压侧电压。

它内置两个同步驱动通道，提供高达2.5A/2A的强劲拉灌电流，配合仅25纳秒的极速开关性能，让您的功率开关管动作干净利落，显著提升能效并降低热损耗。其宽泛的10V至20V供电范围、强大的逻辑兼容性以及-40°C至125°C的工业级工作温度，确保您的设计在各种严苛环境下都能稳定高效运行。选择L6494LD，就是为您的电源管理方案选择了一位可靠而强大的“执行指挥官”。

• 型号:L6494LD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2.5A
• 输入类型:CMOS/TTL
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:500 V
• 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6494LD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。