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还在为高电流应用的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？STH290N4F6-2AG就是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，专为驾驭高达180A的连续电流而设计，其核心魅力在于惊人的1.7毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对汽车电驱、工业电源等严苛场景。40V的耐压与优异的开关特性（栅极电荷仅115nC），确保能量转换既快速又平稳。采用坚固的H2PAK-2封装，并提供车规级AEC-Q101可靠性，这颗芯片是您构建紧凑、可靠且高性能功率系统的理想选择，助您将设计构想高效转化为市场竞争力。

• 型号:STH290N4F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH290N4F6-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。