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还在为高电流应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STH260N6F6-2正是为您破局而来的利器。这颗N沟道功率MOSFET拥有60V的耐压和高达180A的连续电流承载能力，其核心魅力在于DeepGATE技术带来的仅2.4毫欧的超低导通电阻。这意味着它能大幅减少导通状态下的功率损耗，直接为您提升系统效率，并让散热设计变得前所未有的轻松。

它专为要求严苛的高功率密度应用而生。无论是伺服驱动、大功率DC-DC转换，还是电池管理，其优化的动态参数和H2PAK-2封装都能确保高效、可靠的开关性能。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”，让您在激烈的市场竞争中赢得关键的能效优势。

• 型号:STH260N6F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH260N6F6-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。