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还在为高功率应用中的发热和效率损失而烦恼吗？让STH240N75F3-2为您带来颠覆性的改变。这颗N沟道功率MOSFET拥有75V的耐压和高达180A的电流处理能力，而其核心魅力在于低至3毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，具备快速的开关特性和低栅极电荷，让您轻松实现更高频率的设计，同时优化系统动态响应。其坚固的H2PAK-2封装确保了出色的散热和功率循环可靠性，是构建高功率密度、高可靠性平台的理想基石。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的动力核心。

• 型号:STH240N75F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH240N75F3-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。