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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STD7N60M2为您带来改变！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，专为高效能量转换而生。它能在高达600V的电压和5A的电流下稳定工作，其核心价值在于极低的导通损耗和出色的开关性能，直接助力您的产品提升能效、减少发热，并缩小整体方案尺寸。

得益于先进的MDmesh II Plus技术，它让您在设计开关电源、LED驱动或电机控制电路时，能够轻松实现更快的开关频率和更高的功率密度。低至950毫欧的导通电阻和仅8.8nC的栅极电荷，意味着更少的能量浪费在器件本身，更多的能量高效地输送给负载。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STD7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。