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还在寻找一颗能兼顾大容量、高速度与高可靠性的存储芯片吗？让NAND512W3A2BZA6E来定义您产品的数据核心。这款512Mb并行NAND闪存，能以高达50ns的极速访问时间，让您的系统实现流畅无阻的数据读写，显著提升运行效率。

它能在2.7V至3.6V的电压范围内稳定工作，并经受-40°C到85°C的温度考验，确保在各种严苛环境下数据存储的万无一失。其紧凑的63-VFBGA封装，更能帮助您优化电路板设计，节省宝贵空间。

无论是用于存储工业设备日志、通信设备固件，还是汽车电子数据，它都能让您轻松构建稳定、高效的存储系统，为产品性能提供坚实保障。

• 型号:NAND512W3A2BZA6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:63-VFBGA（8.5x15）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（8.5x15）
• NAND512W3A2BZA6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。