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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STD13N65M2来为您破局！这颗来自意法半导体MDmesh M2系列的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，核心使命就是让您的设计更高效、更可靠。

它凭借其革命性的超级结结构，实现了430毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性让开关速度更快、驱动更轻松，帮助您有效控制开关损耗。无论是追求极致效率的服务器电源，还是要求稳定耐用的工业设备，它都能让您轻松应对挑战，打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STD13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD13N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。