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您是否正在为高压、高效的功率开关需求寻找解决方案？STP9NK65ZFP正是为您而来！这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和6.4A的强电流处理能力，能轻松担当起电源转换、电机驱动、LED照明等应用中的核心开关角色。

它的卓越之处在于，通过先进的芯片技术，在高压下实现了极低的导通电阻（仅1.2欧姆）和优化的开关特性。这意味着它能显著降低导通与开关损耗，让您的系统运行更高效、发热更少，从而简化散热设计，提升整体可靠性。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），更能确保它在各种严苛环境中稳定工作，让您对产品的耐用性充满信心。

• 型号:STP9NK65ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1145 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP9NK65ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。