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您正在寻找一颗能扛起高功率重任、同时保持高效与可靠的开关器件吗？STGWT28IH125DF正是为您而来。这颗1250V/60A的沟槽型场截止IGBT，拥有仅2.5V的低导通压降和优化的开关特性，能显著降低系统损耗，让您的工业电机驱动、太阳能逆变器或UPS电源运行得更凉爽、更节能。

它最高可处理375W的功率，并在高达175°C的结温下稳定工作，配合坚固的TO-3P封装，为您应对最严苛的工业环境提供了坚实的硬件基础。选择它，意味着您选择了更高效的能量转换、更简化的驱动设计以及更令人放心的长期可靠性，轻松助力您的产品性能脱颖而出。

• 型号:STGWT28IH125DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 60A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:720J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:114 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/128ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT28IH125DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。