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SCTW40N120G2V 零件图片（仅供参考）

SCTW40N120G2V
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SCTW40N120G2V 规格参数

  • 型号:SCTW40N120G2V
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:HiP247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 欧姆 @ 20A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1233 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:HiP247
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • SCTW40N120G2V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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SCTW40N120G2V 基本参数：

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