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还在为高压电路中的开关损耗和热管理头疼吗？让STF8NK100Z来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您构建高效、坚固电源系统的秘密武器。

它拥有惊人的1000V耐压和6.5A电流处理能力，基于先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻，从而减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。无论是驱动电机还是处理功率转换，它都能让您轻松应对高压挑战，提升整体系统可靠性。

其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保它在各种严苛环境下都能稳定工作。选择STF8NK100Z，就是选择了一份让设计更简单、让产品更出色的性能承诺。

• 型号:STF8NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF8NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。