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零件图片（仅供参考）
STGWA30N120KD
规格参数
  • 制造商产品型号：STGWA30N120KD
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 1200V 60A 220W TO247
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：100A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.85V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：220W
  • 开关能量：2.4mJ（开），4.3mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：105nC
  • 25°C时Td（开/关）值：36ns/251ns
  • 测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：84ns
  • 工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STGWA30N120KD
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：IGBT 1200V 60A 220W TO247
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询STGWA30N120KD的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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